CROSSHATCH PATTERNS IN GAAS FILMS ON SI SUBSTRATES DUE TO THERMAL STRAIN IN ANNEALING PROCESSES

被引:28
作者
NISHIOKA, T [1 ]
ITOH, Y [1 ]
YAMAMOTO, A [1 ]
YAMAGUCHI, M [1 ]
机构
[1] NIPPON TELEGRAPH & TEL PUBL CORP, IBARAKI ELECT COMMUN LABS, TOKAI, IBARAKI 31911, JAPAN
关键词
D O I
10.1063/1.98303
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
引用
收藏
页码:1928 / 1930
页数:3
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