ANNEALING CHARACTERISTICS OF PHOSPHORUS-IMPLANTED SILICON .2.

被引：3

作者：

BICKNELL, RW

机构：

来源：

PHILOSOPHICAL MAGAZINE | 1972年 / 26卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1080/14786437208226965

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：911 / &

共 11 条

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