DEPTH DISTRIBUTIONS OF LOW-ENERGY DEUTERIUM IMPLANTED INTO SILICON AS DETERMINED BY SIMS

被引:41
作者
MAGEE, CW
COHEN, SA
VOSS, DE
BRICE, DK
机构
[1] PRINCETON UNIV,PLASMA PHYS LAB,PRINCETON,NJ 08540
[2] SANDIA LABS,ALBUQUERQUE,NM 87185
来源
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS | 1980年 / 168卷 / 1-3期
关键词
D O I
10.1016/0029-554X(80)91280-X
中图分类号
TH7 [仪器、仪表];
学科分类号
0804 ; 080401 ; 081102 ;
摘要
引用
收藏
页码:383 / 387
页数:5
相关论文
共 16 条