VERY LOW THRESHOLD ALGAAS GAAS QUANTUM WELL LASERS FABRICATED BY SELF-ALIGNED IMPURITY INDUCED DISORDERING

被引:11
作者
SUGIMOTO, M
HAMAO, N
TAKADO, N
ASAKAWA, K
YUASA, T
机构
来源
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS | 1989年 / 28卷 / 06期
关键词
D O I
10.1143/JJAP.28.L1013
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
引用
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页码:L1013 / L1015
页数:3
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