DEEP LEVELS OF COPPER IN SILICON

被引:122
作者
BROTHERTON, SD [1 ]
AYRES, JR [1 ]
GILL, A [1 ]
VANKESTEREN, HW [1 ]
GREIDANUS, FJAM [1 ]
机构
[1] PHILIPS RES LABS,5600 JA EINDHOVEN,NETHERLANDS
关键词
D O I
10.1063/1.339564
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
引用
收藏
页码:1826 / 1832
页数:7
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