AG AND CO CLUSTER DEPOSITION ON GAAS(110) - FERMI LEVEL PINNING IN THE ABSENCE OF METAL-INDUCED GAP STATES AND DEFECTS

被引:31
作者
WADDILL, GD
ALDAO, CM
VITOMIROV, IM
ANDERSON, SG
CAPASSO, C
WEAVER, JH
机构
来源
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1989年 / 7卷 / 04期
关键词
D O I
10.1116/1.584586
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
引用
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页码:950 / 957
页数:8
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