SINGLE-CRYSTAL SILICON FILMS ON AMORPHOUS INSULATORS - GROWTH BY LATERAL NUCLEATED EPITAXY USING SCANNING LASER AND ELECTRON-BEAMS AND EVALUATION BY ELECTRON BACKSCATTERING CONTRAST

被引：14

作者：

SEDGWICK, TO ^{[1
]}

GEISS, RH ^{[1
]}

DEPP, SW ^{[1
]}

HANCHETT, VE ^{[1
]}

HUTH, BG ^{[1
]}

GRAF, V ^{[1
]}

SILVESTRI, VJ ^{[1
]}

机构：

[1] IBM CORP RES, SAN JOSE, CA 95153 USA

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2123682

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：2802 / 2808

页数：7

共 25 条

[21]

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