A PROPOSED NARROW-BAND-GAP BASE TRANSISTOR STRUCTURE

被引：20

作者：

HADDAD, GI

MAINS, RK

REDDY, UK

EAST, JR

机构：

来源：

SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES | 1989年 / 5卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1016/0749-6036(89)90329-7

中图分类号：

O469 [凝聚态物理学];

学科分类号：

070205 ;

摘要：

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页码：437 / 441

页数：5

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