IC-COMPATIBLE 45MW KA-BAND GAAS TRANSFERRED-ELECTRON OSCILLATOR

被引：1

作者：

SCHEIBER, H

LUBKE, K

DISKUS, C

THIM, H

机构：

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1989年 / 25卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19890159

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：223 / 224

页数：2

共 9 条

[1] HIGH-PERFORMANCE GAAS POWER MESFET WITH ALGAAS BUFFER LAYER [J].

KIM, B ;

WURTELE, M ;

SHIH, HD ;

TSERNG, HQ .

ELECTRONICS LETTERS, 1987, 23 (19) :1008-1010

[2]

KUCH R, 1982, I PHYS C SER, V63, P293

[3] VERY SHORT GATE-LENGTH GAAS-MESFETS [J].

PATRICK, W ;

MACKIE, WS ;

BEAUMONT, SP ;

WILKINSON, CDW ;

OXLEY, CH .

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 1985, 6 (09) :471-472

[4]

ROLLAND PA, 1985, IEEE MTT S, P427

[5]

SCHEIBER H, 1988, I PHYS C SER, V91, P817

[6] Q-BAND GAAS-MESFET OSCILLATOR WITH 30-PERCENT EFFICIENCY [J].

TSERNG, HQ ;

KIM, B .

ELECTRONICS LETTERS, 1988, 24 (02) :83-84

[7]

TSERNG HQ, 1985, IEEE GAAS IC S DIG, P11

[8] PARASITIC BIPOLAR EFFECTS IN SUBMICROMETER GAAS-MESFETS [J].

VANZEGHBROECK, BJ ;

PATRICK, W ;

MEIER, H ;

VETTIGER, P .

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 1987, 8 (05) :188-190

[9]

WISSEMAN WR, 1985, IEEE GAAS IC S DIG, P109

← 1 →