EXCITED IMPURITY STATES AND TRANSIENT PHOTOCONDUCTIVITY IN COBALT-DOPED SILICON

被引:34
作者
CHANG, MCP
PENCHINA, CM
MOORE, JS
机构
来源
PHYSICAL REVIEW B | 1971年 / 4卷 / 04期
关键词
D O I
10.1103/PhysRevB.4.1229
中图分类号
O469 [凝聚态物理学];
学科分类号
070205 ;
摘要
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页码:1229 / &
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