制备工艺对锌铝氧化物(ZAO)粉末红外发射率的影响

被引：6

作者：

武晓威

冯玉杰

刘延坤

韦韩

机构：

[1] 哈尔滨工业大学市政环境工程学院环境科学与工程系

来源：

材料科学与工艺 | 2010年 / 18卷 / 02期

关键词：

红外隐身; 半导体材料; 锌铝氧化物(ZAO); 红外发射率;

D O I：

暂无

中图分类号：

O611.3 [性质];

学科分类号：

070301 ; 081704 ;

摘要：

采用液相共沉淀法制备了ZAO掺杂半导体粉末材料,系统研究了制备工艺对ZAO粉末红外发射率的影响.借助于TG-DTA、XRD、SEM对材料的热处理温度,晶体结构及表面形貌进行了考察,利用IR-2双波段发射率测量仪对ZAO粉末材料的红外发射率进行了测试.研究结果表明:当反应物终点pH值为8.5、反应时间为2.5h、煅烧温度为800℃,煅烧时间为2h、Al2O3的掺杂量为3%时所得的ZAO粉末的红外发射率最低;ZAO掺杂半导体粉末的晶体结构为ZnO的铅锌矿结构;粒子形状近似为椭圆形,平均粒径为5～10μm;在中红外(3～5μm)和远红外(8～14μm)波段均具有较低的红外发射率.

引用

页码：279 / 283

页数：5

共 18 条

[1] 溶胶-凝胶法制备ZnO∶Al(ZAO)薄膜的红外发射率研究 [J].