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离焦激光直写的线宽稳定方法
被引:4
作者
:
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机构:
金占雷
谭久彬
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机构:
哈尔滨工业大学超精密光电仪器工程研究所
谭久彬
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机构:
张山
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机构:
王雷
机构
:
[1]
哈尔滨工业大学超精密光电仪器工程研究所
来源
:
光学学报
|
2008年
/ 09期
关键词
:
集成光学;
线宽稳定性;
光功率控制;
离焦激光直写;
衍射光学元件;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
TN249 [激光的应用];
学科分类号
:
摘要
:
为了提高激光直写加工衍射光学元件时的线条质量,提出一种离焦激光直写的线宽稳定方法。该方法通过同时调节激光功率和离焦量,使光刻胶的曝光阈值处于线宽对曝光量的变化率较小位置,从而可以弱化线宽对实际曝光量或光刻胶阈值等变化的敏感度,提高利用离焦方法进行衍射光学元件制作时的线宽稳定性。推导了稳定线宽后的光功率控制模型和线宽模型,模型中的变量仅为离焦量,降低了光功率控制的复杂性。利用632.8 nm的He-Ne激光和NA=0.1的物镜在CCD上对采用该方法后的离焦线宽模型进行验证,实验结果与理论模型吻合较好。该方法对于线宽稳定度较高的衍射光学元件制作具有重要价值。
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激光直写法制备条形光波导中的功率密度阈值
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华中科技大学武汉光电国家实验室
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李爱魁
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曾晓雁
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胡君
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顾智企
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章哲明
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闫玮
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浙江大学信息科学与工程学院
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王雪辉
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王雪辉
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徐兵
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解剑峰
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卢振武
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谢永军
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张殿文
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裴苏
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赵晶丽
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激光直写法制备条形光波导中的功率密度阈值
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刘家骏
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王泽敏
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华中科技大学武汉光电国家实验室
王泽敏
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李爱魁
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曾晓雁
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程亚
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闫玮
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杨国光
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王雪辉
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徐兵
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解剑峰
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离焦激光直写光刻工艺研究
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李凤友
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赵晶丽
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Thick-film lithography using laser write[J] . Y. Cheng,T. Huang,C.-C. Chieng.Microsystem Technologies . 2002 (1-2)
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