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- [6] 纳米硅薄膜的研制[J]. 何宇亮,刘湘娜,王志超,程光煦,王路春,余是东.中国科学（A辑 数学 物理学 天文学 技术科学）. 1992(09)
一种纳米硅薄膜的传导机制
被引：20
作者：
何宇亮
余明斌
胡根友
张蔷
机构：
[1] 南京大学固体微结构物理国家重点实验室
[2] 西安理工大学物理系
[3] 北京联合大学电子自动化工程学院
来源：
关键词：
纳米硅薄膜;
异质结;
半导体结;
量子点;
单电子隧穿;
颗粒;
晶粒;
电性;
电导率;
江畸二极管;
隧道二极管;
传导机制;
D O I：
暂无
中图分类号：
O484.3 [薄膜中的输运现象];
学科分类号：
摘要：
基于对实验和理论的分析，提出一种异质结量子点隧穿（ＨＱＤ）模型，并导出了纳米硅薄膜电导率完整的表达式．其主要思想是，纳米硅薄膜中的微晶粒（几个纳米大小）具有量子点特征，在微晶粒与界面之间由于两者能隙的差异构成晶间势垒，这类似于多晶硅中经常使用的晶间势垒模型（ＧＢＴ）．考虑到量子点中的单电子隧穿特征，认为纳米硅薄膜中的电传导是由微晶粒中电子弹道式输运与单电子越过势垒的隧穿构成的．这就是ＨＱＤ模型的主要内容，理论结果与实验相符
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