激光光刻技术的研究与发展

被引：12

作者：

邓常猛 ^{[1
,2
]}

耿永友 ^{[1
]}

吴谊群 ^{[1
,3
]}

机构：

[1] 中国科学院上海光学精密机械研究所中国科学院强激光材料重点实验室

[2] 中国科学院研究生院

[3] 功能无机材料化学省部共建教育部重点实验室(黑龙江大学)

来源：

红外与激光工程 | 2012年 / 05期

关键词：

投影式光刻; 无掩膜光刻; 发展趋势;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN305.7 [光刻、掩膜];

学科分类号：

1401 ;

摘要：

光刻技术作为制备半导体器件的关键技术之一将制约着半导体行业的发展和半导体器件的性能。随着半导体工业的发展,集成电路的特征尺寸越来越小,光刻技术将面临新的挑战。分析了激光光刻技术,包括投影式光刻和激光无掩膜光刻技术的研究现状,着重介绍了极紫外光刻(EUVL)作为下一代光刻技术的发展前景和技术难点、激光无掩膜光刻技术的发展,特别是激光近场扫描光刻、激光干涉光刻、激光非线性光刻等新技术的最新进展及其在高分辨率纳米加工领域的应用前景。

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页码：1223 / 1231

页数：9

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