提高LED外量子效率

被引：6

作者：

占美琼

吴中林

吴恒莱

陈林

机构：

[1] 上海第二工业大学

来源：

激光与光电子学进展 | 2007年 / 12期

关键词：

发光二极管; 外量子效率;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN312.8 [];

学科分类号：

0803 ;

摘要：

提高发光二极管的发光效率是当前的一个研究热点。简要介绍了从芯片技术角度提高发光二极管(LED)外量子效率的几种途径,生长分布布拉格反射层结构、制作透明衬底、衬底剥离技术、倒装芯片技术、表面粗化技术、异形芯片技术、采用光子晶体结构等。此外还介绍了发光材料、能带结构以及工艺对外量子效率的影响。

引用

页码：61 / 67

页数：7

共 16 条

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