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红外探测器倒装互连技术进展
被引:10
作者:
耿红艳
周州
宋国峰
徐云
机构:
[1] 中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室
来源:
基金:
北京市自然科学基金;
关键词:
打底金属;
铟柱;
回流;
倒压焊;
底部填充胶;
D O I:
暂无
中图分类号:
TN215 [红外探测、红外探测器];
学科分类号:
0803 ;
080401 ;
080901 ;
摘要:
随着红外焦平面技术的发展,红外探测器探测波段已由单波段变为双色及四色波段,半导体元件的封装数量由最初的数十个发展到数百万个,I/O输出密度不断增大,传统微互联技术如引线键合技术、载带自动焊技术等已根本无法满足器件要求。倒装焊技术以其封装尺寸小、互联密度高、生产成本低的特点越来越受到人们的亲睐。倒装互连工艺主要包括:UBM制备、铟膜沉积、回流成球、倒压焊、填充背底胶。介绍了各工艺步骤的发展状况,并对铟膜沉积、铟柱增高工艺进行详细阐述。
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