ITO薄膜的光学和电学性质及其应用

被引：113

作者：

马勇

孔春阳

机构：

[1] 重庆师范学院物理系,重庆师范学院物理系重庆,重庆

来源：

重庆大学学报(自然科学版) | 2002年 / 08期

关键词：

氧化铟锡(ITO)薄膜; 结构; 能带; 光学和电学性质;

D O I：

暂无

中图分类号：

O484.4 [薄膜的性质];

学科分类号：

070204 [等离子体物理];

摘要：

介绍了氧化铟锡 (ITO)薄膜的光学和电学性质及应用。优化的ITO薄膜有立方铁锰矿结构。掺杂的Sn替代In2 O3 晶格上的In原子 ,每个Sn原子可以看作给导带提供一个自由电子。ITO薄膜载流子浓度为～ 10 2 0 cm-3 ,电阻率为～ 10 -4Ωcm ,是高度简并半导体 ,其能带为抛物线型结构。由于Burstein -Moss效应 ,光学能隙加宽。除了紫外带间吸收和远红外的声子吸收 ,Drude理论与ITO的介电常数实际值符合得很好 ,说明自由电子对ITO薄膜的光学性质有决定性作用。由于ITO薄膜优异的光学和电学特性使它日益获得广泛应用

引用

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共 10 条

[1]

柔性衬底ITO膜的性质与制备参数关系的研究 [J].