ZnO单晶薄膜光电响应特性

被引：6

作者：

李瑛 ^{[1
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冯士维 ^{[1
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杨集 ^{[1
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张跃宗 ^{[1
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谢雪松 ^{[1
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吕长志 ^{[1
]}

卢毅成 ^{[2
]}

机构：

[1] 北京工业大学电子信息与控制工程学院

[2] Department of Computer and Electrical Engineering,Rutgers University,Piscataway,NJ ,USA

来源：

半导体学报 | 2006年 / 01期

关键词：

单晶ZnO; MOCVD; 光电响应; AR膜; RF溅射损伤;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN304 [材料];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

对采用MOCVD方法沉积的ZnO单晶薄膜的欧姆接触特性、光电特性进行了研究,并对比研究了射频溅射沉积Si O2抗反射膜对ZnO薄膜I-V、光电特性的影响.实验结果表明,非合金Al/ZnO金属体系与n型ZnO形成了良好的欧姆接触,溅射沉积Si O2在ZnO表面引入了载流子陷阱,影响I-V特性,延长了光响应下降时间.ZnO单晶薄膜光电导也具有时间退化现象.

引用

页码：96 / 99

页数：4

共 6 条

[1] Ga掺杂ZnO薄膜的MOCVD生长及其特性 [J].