基于GARCH模型的IGBT寿命预测

被引：42

作者：

白梁军 ^{[1
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黄萌 ^{[1
]}

饶臻 ^{[1
]}

潘尚智 ^{[1
]}

查晓明 ^{[1
]}

刘国友 ^{[2
]}

机构：

[1] 武汉大学电气与自动化学院

[2] 新型功率半导体器件国家重点实验室(株洲中车时代电气股份有限公司)

来源：

中国电机工程学报 | 2020年 / 40卷 / 18期

基金：

国家自然科学基金重点项目;

关键词：

IGBT模块; RUL预测; 失效机理; GARCH模型;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN322.8 [];

学科分类号：

摘要：

绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)在新能源并网、电力传输等领域中得到了广泛应用,其可靠性引起了人们关注和重视。针对IGBT模块的可靠性分析和剩余使用寿命问题,文中提出一种利用加速老化数据对IGBT模块老化模型建立方法,并利用建立的老化模型对IGBT模块的剩余使用寿命进行预测。首先介绍IGBT的失效机理,结合现有的加速老化数据,确定的以集电极-发射极通态压降作为剩余使用寿命预测依据。建立基于GARCH模型的IGBT老化寿命模型,通过3组IGBT模块加速老化数据对剩余寿命预测,验证所提方法的有效性。

引用

页码：5787 / 5796

页数：10

共 14 条

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