西藏错勤—申扎剖面大地电磁测深研究

被引：17

作者：

闫永利 ^{[1
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马晓冰 ^{[1
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陈赟 ^{[1
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王光杰 ^{[1
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王显祥 ^{[1
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兰海强 ^{[1
]}

吕庆田 ^{[2
]}

机构：

[1] 中国科学院地质与地球物理研究所

[2] 中国地质科学院矿产资源研究所

来源：

地球物理学报 | 2012年 / 55卷 / 08期

基金：

中国科学院知识创新工程重大项目;

关键词：

冈底斯; 大地电磁测深; 壳幔结构; 深断裂;

D O I：

暂无

中图分类号：

P631.325 [];

学科分类号：

摘要：

通过对西藏冈底斯地区错勤—申扎大地电磁测深剖面的研究,揭示了该地区壳幔结构特征.上地壳底界面深度大约20km,在扎日南木错以西和当惹雍错以东地区分别发育壳幔高导层(体).高导层(体)的中心———电阻率低值区出现在20～40km深度,其根部可追踪到上地幔.从高导层(体)的发育特征推断:错勤—申扎剖面壳幔高导层(体)是在印度板块与欧亚板块主、晚碰撞阶段地幔热流物质上涌和后碰撞阶段地壳东西向拉张作用下,导致中、下地壳岩石相继发生两期部分熔融的结果.而当惹雍错可能是一条深度可能达到上地幔的深、大断裂.

引用

页码：2636 / 2642

页数：7

共 15 条

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