sol-gel法制备ZnO薄膜压敏电阻

被引：2

作者：

刘财坤

邓宏

李金丽

陈金菊

韦敏

机构：

[1] 电子科技大学微电子与固体电子学院

来源：

电子元件与材料 | 2007年 / 06期

关键词：

电子技术; sol-gel法; ZnO薄膜压敏电阻; 掺杂; 压敏性能;

D O I：

10.14106/j.cnki.1001-2028.2007.06.012

中图分类号：

TM54 [电阻器、电位器];

学科分类号：

080801 ;

摘要：

利用sol-gel法在镀有Au底电极的单晶硅片上,制备掺有Bi2O3、Co2O3、Cr2O3和MnO2的ZnO薄膜压敏电阻。薄膜由旋涂法制备,并在300℃下预处理、600℃退火。制得的ZnO薄膜结晶良好。膜厚约为1μm,ZnO薄膜压敏电阻的非线性系数为15.1,压敏电压为3.037 V,漏电流为43.25μA。

引用

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页数：3

共 5 条

[1] 退火温度对ZnO陶瓷薄膜低压压敏特性的影响 [J].