新型结构垂直腔面发射激光器的研制

被引：8

作者：

赵英杰 ^{[1
]}

郝永芹 ^{[1
]}

李广军 ^{[2
]}

冯源 ^{[1
]}

侯立峰 ^{[1
,2
]}

机构：

[1] 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室

[2] 中国人民解放军装甲兵技术学院

来源：

中国激光 | 2009年 / 36卷 / 08期

关键词：

激光技术; 垂直腔面发射激光器; 辐射桥; 热阻;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN248.4 [半导体激光器];

学科分类号：

0803 ; 080401 ; 080901 ;

摘要：

为改善垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的热特性,提高其光电性能,研制了新型辐射桥结构的VCSEL,即采用辐射桥状的电流注入通道取代以往传统结构VCSEL的环形电流注入通道。研究表明辐射桥结构可以降低VCSEL器件的体电阻和热阻,改善器件的模式特性。在同一外延片上,采用相同的工艺制备了辐射桥结构与传统结构两种VCSEL器件,并对两种器件的光电性能进行了对比测试。结果表明,辐射桥结构VCSEL比传统结构的VCSEL微分电阻降低25%,输出功率提高到1.6倍;辐射桥结构的VCSEL具有良好的温度特性与模式特性,80℃时仍能正常激射,60℃时最大输出功率可达17 mW,器件的热阻可达1.95 ℃/mW;器件单模工作,其总体性能远优于传统结构的VCSEL器件。

引用

页码：1946 / 1950

页数：5

共 7 条

[1] 垂直腔面发射激光器中选择性氧化工艺稳定性研究 [J].