DIELECTRIC ISOLATION OF SILICON BY ANODIC BONDING

被引：62

作者：

ANTHONY, TR

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.336143

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1240 / 1247

页数：8

共 20 条

[11] MAXIMUM DIELECTRIC STRENGTH OF THIN SILICON OXIDE FILMS [J].

KLEIN, N ;

GAFNI, H .

KOBAYASHI, Y ;

FUKAMI, A ;

SUZUKI, T .

[13]

MEEK JM, 1953, ELECTRICAL BREAKDOWN

[14]

Pomerantz DI., 1968, Patent No. [US3397278 A, 3397278, US3397278A]

[15]

POMERANTZ DI, 1968, Patent No. 3417459

STULTZ, TJ ;

GIBBONS, JF .

WALLIS, G .

[18] FIELD ASSISTED GLASS-METAL SEALING [J].

WALLIS, G ;

POMERANT.DI .

[19]

Wallis G., 1975, Electrocomponent Science and Technology, V2, P45, DOI 10.1155/APEC.2.45

[20]

1983, PROPERTIES CORNINGS