THIN OXIDE-FILMS OF SILICON BY HIGH-PRESSURE OXIDATION

被引：3

作者：

HIRAYAMA, M ^{[1
]}

MIYOSHI, H ^{[1
]}

TSUBOUCHI, N ^{[1
]}

ABE, H ^{[1
]}

机构：

[1] MITSUBISHI ELECT CORP,LSI R&D LAB,ITAMI,HYOGO 664,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1007/BF02658906

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：919 / 929

页数：11

共 13 条

TAFT, EA .

[12] OXIDATION OF SILICON IN HIGH-PRESSURE STEAM [J].

TSUBOUCHI, N ;

MIYOSHI, H ;

NISHIMOTO, A ;

ABE, H .

TSUBOUCHI, N ;

MIYOSHI, H ;

ABE, H .