PHOTOEMISSION-STUDIES OF THE INITIAL ADSORPTION AND GROWTH OF AG ANDAU ON GE AND SI

被引:43
作者
WACHS, AL [1 ]
MILLER, T [1 ]
SHAPIRO, AP [1 ]
CHIANG, TC [1 ]
机构
[1] UNIV ILLINOIS,PHYS RES LAB,URBANA,IL 61801
来源
PHYSICAL REVIEW B | 1987年 / 35卷 / 11期
关键词
D O I
10.1103/PhysRevB.35.5514
中图分类号
T [工业技术];
学科分类号
08 ;
摘要
引用
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页码:5514 / 5523
页数:10
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