ULTRAHIGH-VACUUM 4-CIRCLE DIFFRACTOMETER FOR GRAZING-INCIDENCE X-RAY-DIFFRACTION ON INSITU MBE GROWN-III-V SEMICONDUCTOR SURFACES

被引:23
作者
CLAVERIE, P [1 ]
MASSIES, J [1 ]
PINCHAUX, R [1 ]
SAUVAGESIMKIN, M [1 ]
FROUIN, J [1 ]
BONNET, J [1 ]
JEDRECY, N [1 ]
机构
[1] UNIV PARIS 11,LURE,F-91405 ORSAY,FRANCE
关键词
D O I
10.1063/1.1140722
中图分类号
TH7 [仪器、仪表];
学科分类号
0804 ; 080401 ; 081102 ;
摘要
引用
收藏
页码:2369 / 2372
页数:4
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