SURFACE PROCESSES IN GROWTH SILICON ON (111)SILICON IN ULTRAHIGH VACUUM

被引:151
作者
ABBINK, HC
BROUDY, RM
MCCARTHY, GP
机构
关键词
D O I
10.1063/1.1655818
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
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页码:4673 / &
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