INP INGAAS BURIED-STRUCTURE AVALANCHE PHOTODIODES

被引：12

作者：

YASUDA, K

KISHI, Y

SHIRAI, T

MIKAWA, T

YAMAZAKI, S

KANEDA, T

机构：

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1984年 / 20卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19840106

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：158 / 159

页数：2

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共 5 条

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