LOW-THRESHOLD AND WIDE-BANDWIDTH 1.3-MU-M INGAASP BURIED CRESCENT INJECTION-LASERS WITH SEMIINSULATING CURRENT CONFINEMENT LAYERS

被引:15
作者
CHENG, WH [1 ]
SU, CB [1 ]
BUEHRING, KD [1 ]
URE, JW [1 ]
PERRACHIONE, D [1 ]
RENNER, D [1 ]
HESS, KL [1 ]
ZEHR, SW [1 ]
机构
[1] ROCKWELL INT CORP,CTR SCI,THOUSAND OAKS,CA 91360
关键词
D O I
10.1063/1.98906
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
引用
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页数:3
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