CHARGING STUDIES IN APPLIED MATERIALS PRECISION IMPLANT 9000 SYSTEM

被引：9

作者：

HALL, JM

GLAWISCHNIG, H

HOLTSCHMIDT, W

机构：

[1] APPL MAT INC,DIV IMPLANT,HORSHAM,SUSSEX,ENGLAND

[2] SIEMENS AG,MUNICH,FED REP GER

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0168-583X(87)90855-X

中图分类号：

TH7 [仪器、仪表];

学科分类号：

0804 ; 080401 ; 081102 ;

摘要：

引用

页码：350 / 353

页数：4

共 4 条

KLEIN, N ;

SOLOMON, P .

[2] HIGH-FIELD CURRENT INDUCED-POSITIVE CHARGE TRANSIENTS IN SIO2 [J].

NISSANCOHEN, Y ;

SHAPPIR, J ;

FROHMANBENTCHKOWSKY, D .

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SHAPPIR, J ;

FROHMANBENTCHKOWSKY, D .

[4] BREAKDOWN IN SILICON-OXIDE [J].

SOLOMON, P .

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY, 1977, 14 (05) :1122-1130