GAAS AND GAALAS EQUI-RATE ETCHING USING A NEW REACTIVE ION-BEAM ETCHING SYSTEM

被引:48
作者
ASAKAWA, K
SUGATA, S
机构
来源
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS | 1983年 / 22卷 / 10期
关键词
D O I
10.1143/JJAP.22.L653
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
引用
收藏
页码:L653 / L655
页数:3
相关论文
共 7 条