INSTABILITIES IN MODULATION DOPED FIELD-EFFECT TRANSISTORS (MODFETS) AT 77-K

被引：22

作者：

FISCHER, R

DRUMMOND, TJ

KOPP, W

MORKOC, H

LEE, K

SHUR, MS

机构：

[1] UNIV ILLINOIS,COORDINATED SCI LAB,URBANA,IL 61801

[2] UNIV MINNESOTA,DEPT ELECT ENGN,MINNEAPOLIS,MN 55455

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19830538

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：789 / 791

页数：3

共 14 条

[11] EFFECT OF ELECTRON TRAPPING ON IGFET CHARACTERISTICS [J].

NING, TH ;

OSBURN, CM ;

YU, HN .

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DINGLE, R ;

GOSSARD, AC ;

WIEGMANN, W ;

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JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 1983, 1 (02) :190-195

[14]

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