FORMATION OF P-PHOTODIODES ON N-PHOTODIODES IN HG1-XCDXTE BY ION-IMPLANTATION AND CW CO2-LASER ANNEALING

被引:14
作者
KALISH, R
BAHIR, G
机构
[1] TECHNION ISRAEL INST TECHNOL,INST SOLID STATE,IL-32000 HAIFA,ISRAEL
[2] TECHNION ISRAEL INST TECHNOL,DEPT ELECT ENGN,MICROELECTR RES CTR,IL-32000 HAIFA,ISRAEL
关键词
D O I
10.1016/0022-0248(85)90193-9
中图分类号
O7 [晶体学];
学科分类号
0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;
摘要
引用
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页数:4
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