INITIAL-STAGE OF FORMATION OF A METAL-SEMICONDUCTOR INTERFACE - AL ON GAAS(110)

被引:18
作者
ZUNGER, A
机构
来源
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY | 1981年 / 19卷 / 03期
关键词
D O I
10.1116/1.571086
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
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页码:690 / 692
页数:3
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