ANALYTICAL EXPRESSIONS FOR STATIC MOS-TRANSISTOR CHARACTERISTICS BASED ON GRADUAL CHANNEL MODEL

被引:11
作者
KATTO, H [1 ]
ITOH, Y [1 ]
机构
[1] HITACHI LTD,CENT RES LAB,KOKUBUNJI,TOKYO,JAPAN
关键词
D O I
10.1016/0038-1101(74)90006-9
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
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页码:1283 / 1292
页数:10
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