MEASUREMENT OF HALL-MOBILITY IN N-CHANNEL SILICON INVERSION LAYER

被引:7
作者
BRIGLIO, DR [1 ]
NATHAN, A [1 ]
BALTES, HP [1 ]
机构
[1] UNIV ALBERTA,ALBERTA MICROELECTR CTR,EDMONTON T6G 2G7,ALBERTA,CANADA
关键词
D O I
10.1139/p87-128
中图分类号
O4 [物理学];
学科分类号
0702 ;
摘要
13
引用
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页码:842 / 845
页数:4
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