THERMAL ANNEALING STUDY ON GAAS ENCAPSULATED BY PLASMA-ENHANCED CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITED SIOXNY

被引:12
作者
CHAN, YJ [1 ]
LIN, MS [1 ]
CHEN, TP [1 ]
机构
[1] IND TECHNOL RES INST,MAT RES LAB,HSINCHU 300,TAIWAN
关键词
D O I
10.1063/1.335660
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
引用
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页码:545 / 549
页数:5
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