PLANAR CHANNELING IN ION-IMPLANTED SILICON

被引：1

作者：

BLOOD, P ^{[1
]}

机构：

[1] MULLARD RES LABS,REDHILL,SURREY,ENGLAND

来源：

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH | 1974年 / 25卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1002/pssa.2210250260

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：K151 / K154

页数：4

共 5 条

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