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EXPERIMENTAL TEMPERATURE-DEPENDENCE OF 1/F FLUCTUATIONS IN GERMANIUM AND SILICON
被引:15
作者
:
BISSCHOP, J
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BISSCHOP, J
CUIJPERS, JL
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CUIJPERS, JL
机构
:
来源
:
PHYSICA B & C
|
1983年
/ 123卷
/ 01期
关键词
:
D O I
:
10.1016/0378-4363(83)90003-7
中图分类号
:
O4 [物理学];
学科分类号
:
0702 ;
摘要
:
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相关论文
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[1]
EXCESS (1-F) NOISE IN METALS
EBERHARD, JW
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UNIV CHICAGO,DEPT PHYS,CHICAGO,IL 60637
EBERHARD, JW
HORN, PM
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HORN, PM
[J].
PHYSICAL REVIEW B,
1978,
18
(12):
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-
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LATTICE SCATTERING CAUSES 1-F NOISE
HOOGE, FN
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VANDAMME, LKJ
[J].
REPORTS ON PROGRESS IN PHYSICS,
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[4]
REVIEW OF SOME CHARGE TRANSPORT PROPERTIES OF SILICON
JACOBONI, C
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QUARANTA, AA
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DRIFT AND CONDUCTIVITY MOBILITY IN SILICON
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EXCESS (1-F) NOISE IN METALS
EBERHARD, JW
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EBERHARD, JW
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UNIV CHICAGO,DEPT PHYS,CHICAGO,IL 60637
HORN, PM
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PHYSICAL REVIEW B,
1978,
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LATTICE SCATTERING CAUSES 1-F NOISE
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1978,
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[J].
REPORTS ON PROGRESS IN PHYSICS,
1981,
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[4]
REVIEW OF SOME CHARGE TRANSPORT PROPERTIES OF SILICON
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DRIFT AND CONDUCTIVITY MOBILITY IN SILICON
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LUDWIG, GW
WATTERS, RL
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WATTERS, RL
[J].
PHYSICAL REVIEW,
1956,
101
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LATTICE-SCATTERING MOBILITY IN GERMANIUM
MORIN, FJ
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MORIN, FJ
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PHYSICAL REVIEW,
1954,
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(01):
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ORIGIN OF 1/F NOISE
PALENSKIS, V
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PALENSKIS, V
SHOBLITSKAS, Z
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SHOBLITSKAS, Z
[J].
SOLID STATE COMMUNICATIONS,
1982,
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(10)
: 761
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[8]
SHENG SL, 1977, SOLID STATE ELECTRON, V20, P609
[9]
Smith R.A., 1978, SEMICONDUCTORS
[10]
RESISTIVITY MOBILITY AND IMPURITY LEVELS IN GAAS GE AND SI AT 300 DEGREES K
SZE, SM
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IRVIN, JC
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SOLID-STATE ELECTRONICS,
1968,
11
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