CREATION AND TERMINATION OF SUBSTRATE DEEP DEPLETION IN THIN OXIDE MOS CAPACITORS BY CHARGE TUNNELING

被引：33

作者：

LIANG, MS ^{[1
]}

CHANG, C ^{[1
]}

YEOW, YT ^{[1
]}

HU, C ^{[1
]}

BRODERSEN, RW ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV CALIF BERKELEY,COMP SCI ELECTR RES LAB,BERKELEY,CA 94720

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1983.25759

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：350 / 352

页数：3

共 7 条

[1]

CHANG CA, UNPUB

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