ELECTRON AND PROTON DAMAGE COEFFICIENTS IN LOW-RESISTIVITY SILICON

被引：8

作者：

SROUR, JR ^{[1
]}

OTHMER, S ^{[1
]}

CHIU, KY ^{[1
]}

机构：

[1] NORTHROP RES & TECHNOL CTR,HAWTHORNE,CA 90250

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1975.4328185

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：2656 / 2662

页数：7

共 22 条

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