ELECTRONIC TRANSPORT INVESTIGATION OF ARSENIC-IMPLANTED SILICON .1. ANNEALING INFLUENCE ON THE TRANSPORT-COEFFICIENTS

被引:11
作者
CHRISTOFIDES, C [1 ]
JAOUEN, H [1 ]
GHIBAUDO, G [1 ]
机构
[1] ECOLE NATL SUPER ELECTR & RADIOELECT,PHYS COMPOSANTS SEMICOND LAB,CNRS,UNITE 840,F-38031 GRENOBLE,FRANCE
关键词
D O I
10.1063/1.343194
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
引用
收藏
页码:4832 / 4839
页数:8
相关论文
共 39 条