CHARACTERIZATION OF REACTIVE ION ETCHED SILICON SURFACE BY DEEP LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY

被引：17

作者：

MATSUMOTO, H

SUGANO, T

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2123686

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：2823 / 2828

页数：6

共 8 条

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