INSITU EPITAXIAL SILICON OXIDE-DOPED POLYSILICON STRUCTURES FOR MOS FIELD-EFFECT TRANSISTORS

被引:13
作者
STURM, JC
GRONET, CM
KING, CA
WILSON, SD
GIBBONS, JF
机构
[1] STANFORD UNIV,STANFORD ELECTR LABS,STANFORD,CA 94305
[2] CHARLES EVANS & ASSOCIATES,SAN MATEO,CA 94402
关键词
D O I
10.1109/EDL.1986.26479
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
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页数:3
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