AUTO-DOPING DURING THE DEPOSITION OF EPITAXIAL SILICON LAYERS FROM THE GAS-PHASE .1. AUTO-DOPING FROM THE GAS-PHASE

被引：4

作者：

KUHNE, H

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1002/crat.2170170906

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

引用

页码：1097 / 1104

页数：8

共 7 条

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