LAYER GROWTH IN GAAS EPITAXY

被引：25

作者：

NISHIZAWA, J

KIMURA, M

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0022-0248(86)90122-3

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

引用

页码：331 / 337

页数：7

共 7 条

KNIGHT, JR ;

EFFER, D ;

EVANS, PR .

[2] On crystal-accretion. [J].

Kossel, W .

NISHIZAWA, J ;

KATO, Y ;

SHIMBO, M .

[4]

NISHIZAWA J, 1978, CRYSTAL GROWTH, V2

[5]

Nishizawa J.-I., 1972, Journal of Crystal Growth, V13-14, P297, DOI 10.1016/0022-0248(72)90173-X

[6] SILICON EPITAXIAL-GROWTH [J].

NISHIZAWA, JI ;

TERASAKI, T ;

SHIMBO, M .

[7] DEFECT-FREE NUCLEATION OF SILICON ON [111] SILICON SURFACES [J].

SHIMBO, M ;

NISHIZAWA, J ;

TERASAKI, T .