POINT-DEFECT GENERATION AND ENHANCED DIFFUSION IN SILICON DUE TO TANTALUM SILICIDE OVERLAYS

被引:48
作者
HU, SM
机构
关键词
D O I
10.1063/1.98452
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
引用
收藏
页码:308 / 310
页数:3
相关论文
共 20 条