OXYGEN PRECIPITATION AND STACKING-FAULT FORMATION IN DISLOCATION-FREE SILICON

被引:82
作者
PATEL, JR
JACKSON, KA
REISS, H
机构
关键词
D O I
10.1063/1.323558
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
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页码:5279 / 5288
页数:10
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