ISOELECTRONIC TRAP TRANSITIONS IN GAAS-1-X PARA X-N IN REGION OF RESONANT ENHANCEMENT (ENNEGAMMA EGAMMA 0.3 LESS THAN X LESS THAN 0.4)

被引:9
作者
DUPUIS, RD
HOLONYAK, N
CRAFORD, MG
FINN, D
GROVES, WO
机构
[1] UNIV ILLINOIS,DEPT ELECT ENGN,URBANA,IL 61801
[2] MONSANTO CO,ST LOUIS,MO 63166
[3] UNIV ILLINOIS,MAT RES LAB,URBANA,IL 61801
关键词
D O I
10.1016/0038-1098(73)90640-6
中图分类号
O469 [凝聚态物理学];
学科分类号
070205 ;
摘要
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页数:5
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