BEHAVIOR OF DOPANT DIFFUSION IN A SILICON-ON-INSULATOR STRUCTURE FORMED BY HIGH-DOSE OXYGEN IMPLANTATION

被引：6

作者：

FAHEY, P ^{[1
]}

SOLMI, S ^{[1
]}

机构：

[1] CNR,INST LAMEL,I-40126 BOLOGNA,ITALY

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.337480

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：4329 / 4332

页数：4

共 6 条

FAHEY, P ;

DUTTON, RW ;

MOSLEHI, M .

FAHEY, P ;

BARBUSCIA, G ;

MOSLEHI, M ;

DUTTON, RW .

FINETTI, M ;

MASETTI, G ;

NEGRINI, P ;

SOLMI, S .

IEE PROCEEDINGS-I COMMUNICATIONS SPEECH AND VISION, 1980, 127 (01) :37-41

GREENEICH, EW ;

REUSS, RH .

[5]

HEMMENT PLF, 1985, EDITIONS PHYSIQ, V4, P475

[6] VERTICAL BIPOLAR-TRANSISTORS ON BURIED SILICON-NITRIDE LAYERS [J].

MUNZEL, H ;

ALBERT, G ;

STRACK, H .